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ペースメーカー/強磁場注意
酸欠/凍傷注意
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NMR (Nuclear Magnetic Resonance)：核磁気共鳴分光法
Bruker AVANCEⅢ One Bay
主要性能
超電導磁石：４００ＭＨｚ ＡＳＣＥＮＤ型
プローブ：５ｍｍ多核（1Ｈ/19Ｆ、31Ｐ－15Ｎ）
ほか性能
固体NMR（4mmMAS）
グラジエント機能搭載
液体窒素再凝縮装置（JNRS600）
追記事項
装置に関する注意事項
備考
担当者：NMR担当
TEM （Transmission Electron Microscopy）：透過電子顕微鏡
日本電子 JEM-2100F
主要性能
分解能：0.1ｎｍ（格子像），0.25ｎｍ（粒子像）
加速電圧：120,200kV 電子銃：ショットキータイプ フィールドエミッション
ほか性能
デジタルカメラGATAN UltraScan1000
試料最大傾斜：±30°
EDS：JED-2300 付属
追記事項
不慣れな場合は、担当者が立ち会います。その場合は事前にご連絡ください。
備考
（ACD使用時
)
担当者：TEM担当
付属装備
EDS （エネルギー分散型特性Ｘ線分光分析装置）
日本電子 JED-2300
主要性能
Li doped Si Detector 30mmSQ Window：UTW
検出可能元素：B（5）- U（92）
ほか性能
エネルギー分解能：≦138eV
組成分析（定性・半定量）、強度マッピング
追記事項
備考
日立ハイテク HT7800
主要性能
分解能 ： 0.2ｎｍ （100kV,off-axis格子像,確認用仕様時）
加速電圧 ： 20～120ｋＶ
ほか性能
電子銃 ： 直流加熱方式 タングステンフィラメント
倍率 ： 50～200,000倍（HCモード） 600,000倍（HRモード）
撮像カメラ ： 4608 x 3456 pix CMOSカメラ
試料最大傾斜 ： ±70°
追記事項
高精細スクリーンカメラにより明るい部屋でデジタル操作
各種オート機能で初心者からエキスパートまでの操作をサポート
備考
（ColdTrap使用時
)
担当者：TEM担当
SEM (Scanning Electron Microscopy)：走査電子顕微鏡
日立ハイテク Regulus8220
主要性能
分解能：0.6nm（15ｋV ＷＤ4ｍｍ）
電子銃：冷陰極電界放出型
加速電圧：0.5～30ｋＶ
ほか性能
リターディング（加速電圧減速）：最大 -3.5V
反射電子像・STEM像観察：可能
試料サイズ：直径最大150ｍｍ 移動はX,Y 50mm幅
EDS：Quantax 付属
追記事項
クリアな画質、高感度EDS検出器を選択可能
備考
担当者：SEM/XPS/AES担当
付属装備
EDS （エネルギー分散型特性Ｘ線分光分析装置）
Bruker Quantax
主要性能
通常型検出器：XFlash 6|10 SDD検出器 60mmSQ
高感度検出器：XFlash 5060FlatQUAD SDD 4x15mmSQ
ほか性能
検出可能範囲：B（5）-Am（95）
組成分析（定性・半定量）、元素マッピング
追記事項
ペルチェ素子冷却（LN2不要）
FlatQUAD検出器の使用には、特別な注意が必要です。
備考
日立ハイテク SU8020
主要性能
分解能：1.0ｎｍ（15ｋV ＷＤ4ｍｍ）
電子銃：冷陰極電界放出型
加速電圧：0.5～30ｋＶ
ほか性能
リターディング（加速電圧減速）：最大 -2.5V
反射電子像・STEM像観察：可能
試料サイズ：直径最大100ｍｍ 移動はX,Y 50mm幅
EDS：EMAX 付属
追記事項
EDSが使いやすい、試料交換が比較的楽。
備考
担当者：SEM/XPS/AES担当
付属装備
EDS （エネルギー分散型特性Ｘ線分光分析装置）
Horiba(現、Oxford Ins.) EMAX
主要性能
X-MAX N 80mmSQ SDD検出器
高感度検出器：XFlash 5060FlatQUAD SDD 4x15mmSQ
ほか性能
検出可能範囲：B（5）- U（92）
組成分析（定性・半定量）、強度マッピング
追記事項
ペルチェ素子冷却（LN2不要）
備考
XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)：X線光電子分光法
Ulvac Phi ESCA5600
主要性能
Ｘ線源：Alーモノクロ、AlＫα、MgＫα
分析面積：約１ｍｍφ
検出できる元素：Li ～ Ｕ（Ｈ、Ｈｅは測定不可）
検出限界濃度：0.1at%程度
ほか性能
得られる情報
定性分析：光電子のエネルギー（結合エネルギー）から元素を特定
半定量分析：元素間の相対的な存在量を算出（精度：～５％程度）
化学状態分析：元素の結合状態の同定、比率算出
深さ方向分析：イオンスパッタリングとの併用で、元素の深さ方向分布を測定
追記事項
超高真空下での測定となるので、試料の脱ガス・表面汚染に要注意。
試料サイズ・厚さに制約あり。要相談。
備考
担当者：SEM/XPS/AES担当
AES (Auger electron Spectroscopy)：オージェ電子分光法
Ulvac Phi SAM650
主要性能
分析領域：＞約0.5μmφ
検出できる元素：Li ～ Ｕ（Ｈ、Ｈｅは測定不可）
検出限界濃度：１at%
ほか性能
得られる情報
観察：SEM像、反射電子像
定性分析：ピークエネルギー値から元素を同定（軽元素に対して有利）
半定量分析：ピーク強度から相対的存在比率を算出
分析精度：比較として±５％程度
深さ方向分析：イオンスパッタリングとの併用で、元素の深さ方向分布を測定
面内分布分析：指定元素のピーク強度分布（分解能：～１μｍ）
追記事項
基本は依頼分析でのご対応となります。
備考
担当者：SEM/XPS/AES担当
その他設備、付帯設備
【FT-IR】
Thermo Scientific
Nicolet iS50 FT-IR
主要性能
高分解能干渉計を搭載
追記事項
担当者：お問い合わせ
【液体窒素ジェネレーター】
アルバック クライオ
EMP-07A
主要性能
LN2発生量：6 L/day
タンク容量：40 L
付属：N2ガス発生器 GN-10i
追記事項
TEMのEDSへ自動供給
余剰分提供可能、要相談
担当者：TEM担当
【プラズマ蒸着装置】
日立ハイテク MC1000
Ptコート用
主要性能
ターゲット：Pt のみ
標準条件：15mA 30s.で
約10nm
追記事項
SEM用
担当者：SEM/XPS/AES担当
【簡易蒸着装置】
日立ハイテク MC1000
Carbonコート用
主要性能
蒸着種： Carbon
蒸着源：シャーペンの芯
追記事項
SEM用
担当者：SEM/XPS/AES担当
【プラズマCVD装置】
メイワフォーシス Neoc-STB/ST
オスミウムコート用
主要性能
蒸着種：Os
蒸着源：OsO4（強酸化物質）
追記事項
SEM用、実験準備室に設置
担当者：お問い合わせ
【イオンスライサー™】
日本電子 EM-09100 IS
TEM試料薄片化用
主要性能
100µm厚の試料から簡便な手順
TEM用の薄膜試料を作製
Arイオン加速電圧：1 ～ 8 kV
追記事項
無機のTEM試料作製用
担当者：TEM担当
【精密切断機】
Buehler IsoMet
Low Speed Cutter
主要性能
低速度低ダメージカッター
追記事項
主にTEM試料作製用、SEM用
担当者：TEM担当
【手研磨装置】
日本電子 HLA-2
ハンディラップ
主要性能
手動の精密平面研磨機
追記事項
主にTEM試料作製用、SEM用
担当者：TEM担当者
【精密ｲｵﾝﾎﾟﾘｯｼﾝｸﾞｼｽﾃﾑ】
Gatan Model 691 PIPS
TEM試料薄片化用
主要性能
Arイオンビームで薄片化
使用休止中
追記事項
無機のTEM試料作製用
担当者：TEM担当
【精密ﾃﾞｨｽｸｸﾞﾗｲﾝﾀﾞｰ】
Gatan Model 623
TEM試料用
主要性能
無機のTEM試料を所望厚さに
研磨する治具
追記事項
無機のTEM試料作製用
担当者：TEM担当
【ディンプルグラインダー】
Gatan Model 656
TEM試料用
主要性能
グラインダで薄く研磨した薄板を
部分的に更に薄片化
追記事項
TEM試料作製用
担当者：TEM担当者